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Impact ionization induced negative far-infrared photoconductivity inn-GaAs

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-175109

Schöll, E., Heisel, W. und Prettl, Wilhelm (1982) Impact ionization induced negative far-infrared photoconductivity inn-GaAs. Zeitschrift für Physik B: Condensed Matters 47 (4), S. 285-291.

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Zusammenfassung

Far-infrared photoconductivity ofn-GaAs epitaxial layers showing impact ionization breakdown has been investigated by molecular lasers at photon energies below the 1s-2p shallow donor transition energy. Negative photoconductivity was observed if a magnetic field was applied to the crystals and if impact ionization of donors by the electric bias field was the dominant electron excitation ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:1982
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1007/BF01313793DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:26 Okt 2010 12:19
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:28
Dokumenten-ID:17510
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