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Far-infrared absorption in amorphous III-V compound semiconductors

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-175688

Prettl, Wilhelm, Shevchik, N. J. und Cardona, M. (1973) Far-infrared absorption in amorphous III-V compound semiconductors. physica status solidi b 59 (1), S. 241-249.

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Zusammenfassung

The infrared spectra of amorphous films of GaP, GaAs, GaSb, InAs, and Ge prepared by sputtering have been measured from 10 to 4000 cm−1. The absorption spectra in the region of the “optical” phonon frequencies show similarities to the phonon density of states as deduced from Raman scattering but the absorption becomes much smaller at low frequencies. It is shown that while the coupling constant ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:1 September 1973
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1002/pssb.2220590122DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:26 Okt 2010 12:34
Zuletzt geändert:03 Jun 2018 13:30
Dokumenten-ID:17568
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