Circular photogalvanic effect at inter-band excitation in semiconductor quantum wells

DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.1913

Bel'kov, V. ; Ganichev, Sergey ; Schneider, Petra ; Back, Christian ; Oestreich, M. ; Rudolf, J. ; Hägele, D. ; Golub, L. ; Wegscheider, Werner ; Prettl, Wilhelm

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:34

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Zusammenfassung

We observed a circular photogalvanic effect (CPGE) in GaAs quantum wells at inter-band excitation. The spectral dependence of the CPGE is measured together with that of the polarization degree of the time-resolved photoluminescence. A theoretical model takes into account spin splitting of conduction and valence bands.

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