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Spin-galvanic effect and spin orientation by current in non-magnetic semiconductors

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-21406

Ganichev, Sergey (2006) Spin-galvanic effect and spin orientation by current in non-magnetic semiconductors. International Journal of Modern Physics B. (Eingereicht)

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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/Int_J_Modern_Phys_2006_to_be_published.pdf


Zusammenfassung

The spin-galvanic effect and the inverse effect, which yeilds current induced spin polarization, in low dimensional semiconductor structures are reviewed. Both effect are caused by asymmetric spin relaxation in systems with lifted spin degeneracy due to k-linear terms in the Hamiltonian.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:2006
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Stichwörter / Keywords:spin-galvanic effect; spin polarization; spin splitting; terahertz
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Eingereicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:17
Dokumenten-ID:2140
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