URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-21406
Ganichev, Sergey (2006) Spin-galvanic effect and spin orientation by current in non-magnetic semiconductors. International Journal of Modern Physics B. (Eingereicht)
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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/Int_J_Modern_Phys_2006_to_be_published.pdf
Zusammenfassung
The spin-galvanic effect and the inverse effect, which yeilds current induced spin polarization, in low dimensional semiconductor structures are reviewed. Both effect are caused by asymmetric spin relaxation in systems with lifted spin degeneracy due to k-linear terms in the Hamiltonian.
Bibliographische Daten exportieren
| Dokumentenart: | Artikel |
|---|---|
| Datum: | 2006 |
| Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Stichwörter / Keywords: | spin-galvanic effect; spin polarization; spin splitting; terahertz |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status: | Eingereicht |
| Begutachtet: | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden: | Ja |
| Eingebracht am: | 05 Okt 2007 |
| Zuletzt geändert: | 08 Mrz 2017 08:17 |
| Dokumenten-ID: | 2140 |
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