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Spin-galvanic effect and spin orientation by current in non-magnetic semiconductors
Ganichev, Sergey (2006) Spin-galvanic effect and spin orientation by current in non-magnetic semiconductors. International Journal of Modern Physics B. (Eingereicht)Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:36
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.2140
Zusammenfassung
The spin-galvanic effect and the inverse effect, which yeilds current induced spin polarization, in low dimensional semiconductor structures are reviewed. Both effect are caused by asymmetric spin relaxation in systems with lifted spin degeneracy due to k-linear terms in the Hamiltonian.
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel |
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | International Journal of Modern Physics B |
| Datum | 2006 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Stichwörter / Keywords | spin-galvanic effect; spin polarization; spin splitting; terahertz |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Eingereicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| URN der UB Regensburg | urn:nbn:de:bvb:355-epub-21406 |
| Dokumenten-ID | 2140 |
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