URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-214523
Ciorga, Mariusz, Wolf, Christian, Einwanger, Andreas, Utz, Martin, Schuh, Dieter und Weiss, Dieter (2011) Local spin valve effect in lateral (Ga,Mn)As/GaAs spin Esaki diode devices. AIP Advances 1 (2), S. 22113.
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Andere URL zum Volltext: http://link.aip.org/link/doi/10.1063/1.3591397
Zusammenfassung
We report here on a local spin valve effect observed unambiguously in lateral all-semiconductor all-electrical spin injection devices, employing p+ −(Ga,Mn)As/n+ −GaAs Esaki diode structures as spin aligning contacts. We discuss the observed local spin-valve signal as a result of the interplay between spin-transport-related contribution and the tunneling anisotropic magnetoresistance of the ...
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| Dokumentenart: | Artikel | ||||
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| Datum: | 5 Mai 2011 | ||||
| Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard | ||||
| Projekte: | SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen | ||||
| Identifikationsnummer: |
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| Klassifikation: |
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| Stichwörter / Keywords: | gallium arsenide, gallium compounds, III-V semiconductors, spin polarised transport, spin valves, tunnel diodes, tunnelling magnetoresistance | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status: | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet: | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden: | Ja | ||||
| Eingebracht am: | 11 Jul 2011 10:47 | ||||
| Zuletzt geändert: | 03 Jun 2018 03:22 | ||||
| Dokumenten-ID: | 21452 |
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