URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-21783
Ganichev, Sergey, Ivchenko, Eougenious, Belkov, Vassilij, Tarasenko, Sergey, Sollinger, M., Weiss, Dieter, Wegscheider, Werner und Prettl, Wilhelm (2002) Spin-galvanic effect. Nature (London) 417, S. 153-156.
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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/Nature2002p153_spin_galvanic.pdf
Zusammenfassung
There is much recent interest in exploiting the spin of conduction electrons in semiconductor heterostructures together with their charge to realize new device concepts1. Electrical currents are usually generated by electric or magnetic fields, or by gradients of, for example, carrier concentration or temperature. The electron spin in a spin-polarized electron gas can, in principle, also drive an ...
Bibliographische Daten exportieren
| Dokumentenart: | Artikel |
|---|---|
| Datum: | 9 Mai 2002 |
| Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status: | Veröffentlicht |
| Begutachtet: | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden: | Ja |
| Eingebracht am: | 05 Okt 2007 |
| Zuletzt geändert: | 08 Mrz 2017 08:17 |
| Dokumenten-ID: | 2178 |
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