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Fabrication and characterization of a Magnetic Tunnel Transistor with an epitaxial spin valve by the shadow mask technique

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-217926

Vigroux, Julien (2011) Fabrication and characterization of a Magnetic Tunnel Transistor with an epitaxial spin valve by the shadow mask technique. Dissertation, Universität Regensburg.

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Zusammenfassung (Englisch)

This work is concerned with the development of a fabrication method for Magnetic Tunnel Transistor (MTT) having an epitaxial spin valve. Over the years, this device has been used for the study of spin polarized hot electron transport in thin films. Further, the high on/off ratio that the use of thin magnetic films enables makes this device interesting for industrial application. One of the main ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Deutsch)

Diese Arbeit beschäftigt sich mit der Entwicklung eine Herstellungsmethode für Magnetischen Tunnel Transistoren (MTT) mit eines einkristallinen Spin-Valves. Dieser Transistor wurde in den letzten 10 Jahren oft benutzt um die Transporteigenschaften von heißen Elektronen in magnetischen, dünnen Schichten zu studieren. Darüber hinaus ist das hohe An-/Aus-Verhältnis dieses Bauteils hochinterressant ...

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Dokumentenart:Hochschulschrift der Universität Regensburg (Dissertation)
Datum:18 August 2011
Begutachter (Erstgutachter):Prof. Dr. Günther Bayreuther
Tag der Prüfung:19 August 2010
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Günther Bayreuther
Stichwörter / Keywords:Hot electron, spintronics, MTT, Magnetic tunnel transistor, spin polarized transport, epitaxial growth
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:18 Aug 2011 09:16
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:30
Dokumenten-ID:21792
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