Go to content
UR Home

Fabrication and characterization of a Magnetic Tunnel Transistor with an epitaxial spin valve by the shadow mask technique

URN to cite this document:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-217926
DOI to cite this document:
10.5283/epub.21792
Vigroux, Julien
Date of publication of this fulltext: 18 Aug 2011 09:16


Abstract (English)

This work is concerned with the development of a fabrication method for Magnetic Tunnel Transistor (MTT) having an epitaxial spin valve. Over the years, this device has been used for the study of spin polarized hot electron transport in thin films. Further, the high on/off ratio that the use of thin magnetic films enables makes this device interesting for industrial application. One of the main ...

plus

Translation of the abstract (German)

Diese Arbeit beschäftigt sich mit der Entwicklung eine Herstellungsmethode für Magnetischen Tunnel Transistoren (MTT) mit eines einkristallinen Spin-Valves. Dieser Transistor wurde in den letzten 10 Jahren oft benutzt um die Transporteigenschaften von heißen Elektronen in magnetischen, dünnen Schichten zu studieren. Darüber hinaus ist das hohe An-/Aus-Verhältnis dieses Bauteils hochinterressant ...

plus


Owner only: item control page
  1. Homepage UR

University Library

Publication Server

Contact:

Publishing: oa@ur.de
0941 943 -4239 or -69394

Dissertations: dissertationen@ur.de
0941 943 -3904

Research data: datahub@ur.de
0941 943 -5707

Contact persons