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Tunneling ionization of deep centers in high-frequency electric fields

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-21813

Ganichev, Sergey, Ketterl, H., Perel, V., Yassievich, Irina und Prettl, Wilhelm (2002) Tunneling ionization of deep centers in high-frequency electric fields. Physical Review B 65 (8), 085203.

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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/PRB2002tun.pdf


Zusammenfassung

A theoretical and experimental study of the tunneling ionization of deep impurities in semiconductors has been carried out for high-frequency alternating electric fields. It is shown that tunneling ionization occurs by phonon-assisted tunneling which proceeds at high electric field strengths into direct tunneling without involving phonons. In the quasistatic regime of low frequencies the ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:Februar 2002
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.65.085203DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:17
Dokumenten-ID:2181
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