URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-21949
Ganichev, Sergey, Ziemann, E., Yassievich, Irina, Perel, V. und Prettl, Wilhelm (2001) Characterization of deep impurities in semiconductors by terahertz tunneling ionization. Materials Science in Semiconductor Processing 4 (1-3), S. 281-284.
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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/materialscience2001p282_charact.pdf
Zusammenfassung
Tunneling ionization in high-frequencyfields as well as in static fields is suggested as a method for the characterization of deep impurities in semiconductors. It is shown that an analysis of the field and temperature dependences of the ionization probabilityallows to obtain defect parameters like the charge of the impurity, tunneling times, the Huang–Rhys parameter, the difference between ...
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| Dokumentenart: | Artikel | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Datum: | Februar 2001 | ||||
| Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev | ||||
| Identifikationsnummer: |
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| Stichwörter / Keywords: | Deep impurities; Terahertz radiation; Tunneling | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status: | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet: | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden: | Ja | ||||
| Eingebracht am: | 05 Okt 2007 | ||||
| Zuletzt geändert: | 08 Mrz 2017 08:17 | ||||
| Dokumenten-ID: | 2194 |
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