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Microwave induced patterns in n-GaAs and their photoluminescence imaging

Belkov, Vassilij, Hirschinger, J., Schowalter, Dieter, Niedernostheide, F. J., Ganichev, Sergey, Prettl, Wilhelm, Mathúna, D. und Novák, V. (2000) Microwave induced patterns in n-GaAs and their photoluminescence imaging. Physical Review B 61 (20), S. 13698-13702.

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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/prb2000_microwave_patterns.pdf


Zusammenfassung

Using the technique of photoluminescence imaging, self-organized patterns of high-electron density in homogeneous n-GaAs layers under homogeneous microwave irradiation are studied. The structures are shown to be analogous to current filaments in a static electric field. The symmetry of the microwave induced patterns is not constrained by the current feeding electrodes. It is, however, concluded ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:Mai 2000
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.61.13698DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:19 Dez 2016 10:33
Dokumenten-ID:2206
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