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Near field enhancement of photoresistive effect in n-GaAs tunnel Schottky junctions
Shul'man, A., Kotel'nikov, I., Ganichev, Sergey, Dizhur, E., Ormont, A., Zepezauer, E. und Prettl, Wilhelm (1999) Near field enhancement of photoresistive effect in n-GaAs tunnel Schottky junctions. In: Gershoni, David, (ed.) 24th International Conference on the Physics of Semiconductors: Jerusalem, Israel, August 2 - 7, 1998. World Scientific, Singapore, Th-P58. ISBN 981-02-4030-9.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:38
Buchkapitel
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Buchkapitel |
| ISBN | 981-02-4030-9 |
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Proc. of 24th Int. Conf. on Physics Semiconductors, ed. by D. Gershoni, CD-ROM |
| Buchtitel: | 24th International Conference on the Physics of Semiconductors: Jerusalem, Israel, August 2 - 7, 1998 |
|---|---|
| Verlag: | World Scientific |
| Ort der Veröffentlichung: | Singapore |
| Seitenbereich: | Th-P58 |
| Datum | 1999 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| URN der UB Regensburg | urn:nbn:de:bvb:355-epub-22228 |
| Dokumenten-ID | 2222 |
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