Characterization of deep impurities in semiconductors by terahertz tunnel ionization
Buchkapitel
Ganichev, Sergey, Ziemann, E., Yassievich, Irina, Schmalz, K. und Prettl, Wilhelm (1998) Characterization of deep impurities in semiconductors by terahertz tunnel ionization. In: Ashok, S. und Chevallier, J. und Sumino, K. und Sopori, B. L. und Goetz, W., (eds.) Defect and impurity engineered semiconductors II: symposium held [at the 1998 MRS Spring Meeting], April 13-17, 1998, San Francisco, California, U.S.A. Materials Research Society symposium proceedings, 510. Materials Research Society, Warrendale, Pa., S. 595. ISBN 1-558-99416-5.Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Buchkapitel |
| ISBN | 1-558-99416-5 |
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | in: Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices II, MRS Symp. Proc. , eds. S. Ashok, J. Chevallier, K. Sumino, B. L. Sopori, and W. Goetz |
| Buchtitel: | Defect and impurity engineered semiconductors II: symposium held [at the 1998 MRS Spring Meeting], April 13-17, 1998, San Francisco, California, U.S.A |
|---|---|
| Verlag | Materials Research Society |
| Ort der Veröffentlichung | Warrendale, Pa. |
| Sonstige Reihe: | Materials Research Society symposium proceedings |
| Band | 510 |
| Seitenbereich | S. 595 |
| Datum | 1998 |
| Veröffentlichungsdatum | 05 Aug 2009 13:38 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| Dokumenten-ID | 2225 |
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