Ganichev, Sergey, Ziemann, E., Yassievich, Irina, Schmalz, K. und Prettl, Wilhelm (1998) Characterization of deep impurities in semiconductors by terahertz tunnel ionization. In: Ashok, S. und Chevallier, J. und Sumino, K. und Sopori, B. L. und Goetz, W., (eds.) Defect and impurity engineered semiconductors II: symposium held [at the 1998 MRS Spring Meeting], April 13-17, 1998, San Francisco, California, U.S.A. Materials Research Society symposium proceedings, 510. Materials Research Society, Warrendale, Pa., S. 595. ISBN 1-558-99416-5.
Im Publikationsserver gibt es leider keinen Volltext zu diesem Eintrag.
Bibliographische Daten exportieren
| Dokumentenart: | Buchkapitel |
|---|---|
| Datum: | 1998 |
| Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status: | Veröffentlicht |
| Begutachtet: | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden: | Ja |
| Eingebracht am: | 05 Okt 2007 |
| Zuletzt geändert: | 24 Mai 2018 09:50 |
| Dokumenten-ID: | 2225 |
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
