URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-22324
Ganichev, Sergey, Yassievich, Irina und Prettl, Wilhelm (1996) Tunnel ionization of deep impurities by far-infrared radiation. Semiconductor Science and Technology 11 (5), S. 679-691.
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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/semicond_science_technol1996_tunneling.pdf, http://www.iop.org/EJ/abstract/0268-1242/11/5/006
Zusammenfassung
Tunnel ionization of semiconductor deep impurity centres has been investigated in a field of far-infrared radiation where photon energies are several factors of ten smaller than the binding energy of the impurities. Depending on the radiation electric field strength, ionization is caused by phonon-assisted tunnel ionization or direct electron tunnelling. Applying high-power pulsed lasers, two ...
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| Dokumentenart: | Artikel | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Datum: | Mai 1996 | ||||
| Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev | ||||
| Identifikationsnummer: |
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| Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status: | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet: | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden: | Ja | ||||
| Eingebracht am: | 05 Okt 2007 | ||||
| Zuletzt geändert: | 04 Jun 2018 13:56 | ||||
| Dokumenten-ID: | 2232 |
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