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Tunnel ionization of deep impurities by far-infrared radiation

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-22324

Ganichev, Sergey, Yassievich, Irina und Prettl, Wilhelm (1996) Tunnel ionization of deep impurities by far-infrared radiation. Semiconductor Science and Technology 11 (5), S. 679-691.

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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/semicond_science_technol1996_tunneling.pdf, http://www.iop.org/EJ/abstract/0268-1242/11/5/006


Zusammenfassung

Tunnel ionization of semiconductor deep impurity centres has been investigated in a field of far-infrared radiation where photon energies are several factors of ten smaller than the binding energy of the impurities. Depending on the radiation electric field strength, ionization is caused by phonon-assisted tunnel ionization or direct electron tunnelling. Applying high-power pulsed lasers, two ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:Mai 1996
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1088/0268-1242/11/5/006DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:18
Dokumenten-ID:2232
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