Photoresistive effect in in delta-doped GaAs/metal tunnel junctions

Artikel

Kotel'nikov, I., Shul'man, A., Varvanin, N., Ganichev, Sergey, Mayerhofer, B. und Prettl, Wilhelm (1995) Photoresistive effect in in delta-doped GaAs/metal tunnel junctions. JETP Letters 62 (1), S. 53-58.

DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.2240

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• Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev

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Details

Dokumentenart	Artikel
Titel eines Journals oder einer Zeitschrift	JETP Letters
Verlag	MAIK Nauka/Interperiodica distributed exclusively by Springer
Band	62
Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels	1
Seitenbereich	S. 53-58
Datum	Juli 1995
Veröffentlichungsdatum	05 Aug 2009 13:38
Institutionen	Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation	500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status	Veröffentlicht
Begutachtet	Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden	Ja
URN der UB Regensburg	urn:nbn:de:bvb:355-epub-22403
Dokumenten-ID	2240

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