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Photoresistive effect in in delta-doped GaAs/metal tunnel junctions
Kotel'nikov, I., Shul'man, A., Varvanin, N., Ganichev, Sergey, Mayerhofer, B. und Prettl, Wilhelm (1995) Photoresistive effect in in delta-doped GaAs/metal tunnel junctions. JETP Letters 62 (1), S. 53-58.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:38
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.2240
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel |
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | JETP Letters |
| Verlag: | MAIK Nauka/Interperiodica distributed exclusively by Springer |
|---|---|
| Band: | 62 |
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 1 |
| Seitenbereich: | S. 53-58 |
| Datum | Juli 1995 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| URN der UB Regensburg | urn:nbn:de:bvb:355-epub-22403 |
| Dokumenten-ID | 2240 |
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