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Photoresistive effect in in delta-doped GaAs/metal tunnel junctions

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-22403

Kotel'nikov, I., Shul'man, A., Varvanin, N., Ganichev, Sergey, Mayerhofer, B. und Prettl, Wilhelm (1995) Photoresistive effect in in delta-doped GaAs/metal tunnel junctions. JETP Letters 62 (1), S. 53-58.

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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/JETP_Lett1995p53_Photoresistive_p53_58.pdf


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Dokumentenart:Artikel
Datum:Juli 1995
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:18
Dokumenten-ID:2240
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