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Effect of pulsed FIR laser radiation on tunnel and channel resistance of delta-doped GaAs

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-22501

Kotel'nikov, I., Shul'man, A., Mordovets, N., Varvanin, N., Ganichev, Sergey, Mayerhofer, B. und Prettl, Wilhelm (1995) Effect of pulsed FIR laser radiation on tunnel and channel resistance of delta-doped GaAs. In: Towe, E., (ed.) Proceedings / 1995 International Semiconductor Device Research Symposium, December 5 - 8, 1995, Band 1. Engineering Academic Outreach, University of Virginia, Charlottesville, Va., S. 99. ISBN 1-88092-003-4.

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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/Proceedings_ISDRS_Charlotesville_1995p99effect_of_pulsed.pdf


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Dokumentenart:Buchkapitel
Datum:1995
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:18
Dokumenten-ID:2250
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