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Effect of pulsed FIR laser radiation on tunnel and channel resistance of delta-doped GaAs
Buchkapitel
Kotel'nikov, I., Shul'man, A., Mordovets, N., Varvanin, N., Ganichev, Sergey, Mayerhofer, B. und Prettl, Wilhelm (1995) Effect of pulsed FIR laser radiation on tunnel and channel resistance of delta-doped GaAs. In: Towe, E., (ed.) Proceedings / 1995 International Semiconductor Device Research Symposium, December 5 - 8, 1995, Band 1. Engineering Academic Outreach, University of Virginia, Charlottesville, Va., S. 99. ISBN 1-88092-003-4.Alternative Links zum Volltext
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Buchkapitel |
| ISBN | 1-88092-003-4 |
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Proceedings of the International Semiconductor Device Research Symposium, Held in Charlottesville, Virginia on 5-8 December 1995. Volume 1 |
| Buchtitel: | Proceedings / 1995 International Semiconductor Device Research Symposium, December 5 - 8, 1995, Band 1 |
|---|---|
| Verlag | Engineering Academic Outreach, University of Virginia |
| Ort der Veröffentlichung | Charlottesville, Va. |
| Seitenbereich | S. 99 |
| Datum | 1995 |
| Veröffentlichungsdatum | 05 Aug 2009 13:38 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| URN der UB Regensburg | urn:nbn:de:bvb:355-epub-22501 |
| Dokumenten-ID | 2250 |
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