URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-22560
Ganichev, Sergey, Diener, J. und Prettl, Wilhelm (1994) Direct tunnel ionization of deep impurities in the electric field of far-infrared radiation. Solid State Communications 92 (11), S. 883-887.
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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/solid_state_comm1994p883_887DirectTunnel_.pdf
Zusammenfassung
Ionization of semiconductor deep impurity centers has been observed in the far infrared where photon energies are several factors of ten smaller than the binding energy of the impurities. It is shown that the ionization is caused at high intensities by direct tunnel ionization in the electric field of the high power radiation. This optical method allows the investigation of the tunnelling process at electric bias fields well below the threshold of avalanche breakdown.
Bibliographische Daten exportieren
| Dokumentenart: | Artikel |
|---|---|
| Datum: | Dezember 1994 |
| Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status: | Veröffentlicht |
| Begutachtet: | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden: | Ja |
| Eingebracht am: | 05 Okt 2007 |
| Zuletzt geändert: | 08 Mrz 2017 08:18 |
| Dokumenten-ID: | 2256 |
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