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Phonon assisted tunnel ionization of deep impurities in the electric field of far-infrared radiation

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-22609

Ganichev, Sergey, Prettl, Wilhelm und Huggard, P.G. (1993) Phonon assisted tunnel ionization of deep impurities in the electric field of far-infrared radiation. Physical Review Letters 71 (23), S. 3882-3885.

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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/prl1993_tunneling.pdf


Zusammenfassung

Ionization of semiconductor deep impurity centers has been observed in the far infrared, where photon energies are several factors of 10 smaller than the binding energy of the impurities. It is shown that the ionization is caused by phonon assisted tunneling in the electric field of the high power radiation. This optical method allows the investigation of the tunneling process at electric bias fields well below the threshold of avalanche breakdown.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:Dezember 1993
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevLett.71.3882DOI
Klassifikation:
NotationArt
79.70.+qPACS
71.55.JvPACS
72.20.HtPACS
72.40.+wPACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:18
Dokumenten-ID:2260
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