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Intraband photoconductivity due to light holes and heating of carriers in p-type Ge by submillimeter laser excitation

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-22861

Ganichev, Sergey, Emel'yanov, S. und Yaroshetskii, I. (1987) Intraband photoconductivity due to light holes and heating of carriers in p-type Ge by submillimeter laser excitation. Semiconductors 21 (6), S. 618-620.

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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/PhysSemicond1987p618_Intraband_heating_pGe.pdf


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Dokumentenart:Artikel
Datum:Juni 1987
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:04 Jun 2018 13:53
Dokumenten-ID:2286
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