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Intraband photoconductivity due to light holes and heating of carriers in p-type Ge by submillimeter laser excitation
Ganichev, Sergey, Emel'yanov, S. und Yaroshetskii, I. (1987) Intraband photoconductivity due to light holes and heating of carriers in p-type Ge by submillimeter laser excitation. Semiconductors 21 (6), S. 618-620.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:39
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.2286
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Details
| Dokumentenart | Artikel |
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Semiconductors |
| Verlag: | Interperiodica |
|---|---|
| Band: | 21 |
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 6 |
| Seitenbereich: | S. 618-620 |
| Datum | Juni 1987 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| URN der UB Regensburg | urn:nbn:de:bvb:355-epub-22861 |
| Dokumenten-ID | 2286 |
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