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Photoresistive effect in n-GaAs/Au tunnel junctions during plasma reflection of laser light

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-22892

Ganichev, Sergey, Kotel'nikov, I., Mordovets, N., Shul'man, A. und Yaroshetskii, I. (1986) Photoresistive effect in n-GaAs/Au tunnel junctions during plasma reflection of laser light. JETP Letters 44 (5), S. 301-304.

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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/JETP_Lett1986p301_Schottky.pdf


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Dokumentenart:Artikel
Datum:September 1986
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:04 Jun 2018 13:52
Dokumenten-ID:2289
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