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Photoresistive effect in n-GaAs/Au tunnel junctions during plasma reflection of laser light
Ganichev, Sergey, Kotel'nikov, I., Mordovets, N., Shul'man, A. und Yaroshetskii, I. (1986) Photoresistive effect in n-GaAs/Au tunnel junctions during plasma reflection of laser light. JETP Letters 44 (5), S. 301-304.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:39
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.2289
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Details
| Dokumentenart | Artikel |
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | JETP Letters |
| Verlag: | Interperiodica |
|---|---|
| Band: | 44 |
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 5 |
| Seitenbereich: | S. 301-304 |
| Datum | September 1986 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| URN der UB Regensburg | urn:nbn:de:bvb:355-epub-22892 |
| Dokumenten-ID | 2289 |
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