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Spin-galvanic effect and spin orientation by current in non-magnetic semiconductors

Ganichev, Sergey (2006) Spin-galvanic effect and spin orientation by current in non-magnetic semiconductors. In: Int. Spintronics Workshop (invited), 08. - 12. Mai 2006, Singapore.

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Zusammenfassung

Lately, there is much interest in the use of the spin of carriers in semiconductor quantum well (QW) structures together with their charge to realize novel concepts like spintronics. The necessary conditions to develop spintronic devices are high spin polarizations in QWs and a large spin-splitting of subbands in k-space. The latter is important for the ability to control spins with an external ...

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Dokumentenart:Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Anderer)
Datum:2006
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:18
Dokumenten-ID:2328
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