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Nonuniform current and spin accumulation in a 1 μm thick n-GaAs channel

Endres, Bernhard, Ciorga, Mariusz, Wagner, Robert, Ringer, Sebastian, Utz, Martin, Bougeard, Dominique, Weiss, Dieter, Back, Christian H. und Bayreuther, Günther (2012) Nonuniform current and spin accumulation in a 1 μm thick n-GaAs channel. Applied Physics Letters 100, S. 92405.

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Andere URL zum Volltext: http://dx.doi.org/10.1063/1.3691175


Zusammenfassung

The spin accumulation in a n-GaAs channel produced by spin extraction into a (Ga,Mn)As contact is measured by cross-sectional imaging of the spin polarization in GaAs. The spin polarization is observed in a 1 μm thick n-GaAs channel with the maximum polarization near the contact edge opposite to the maximum current density. The one-dimensional model of electron drift and spin diffusion, ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:1 März 2012
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Christian Back
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.3691175 DOI
Klassifikation:
NotationArt
72.25.Dc, 75.30.Ds, 75.30.Wx, 75.40.Gb, 75.50.Pp, 75.78.CdPACS
Stichwörter / Keywords:current density, gallium arsenide, Hanle effect, III-V semiconductors, numerical analysis, spin dynamics, spin polarised transport PACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:06 Mrz 2012 07:14
Zuletzt geändert:19 Dez 2016 16:41
Dokumenten-ID:23534
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