Photogalvanischer Effekt in Si/Ge-Quantentrögen
Sollinger, M., Ganichev, Sergey, Kalz, Franz-Peter, Rössler, Ulrich, Prettl, Wilhelm, Ivchenko, Eougenious, Belkov, Vassilij, Neumann, Richard, Brunner, K. und Abstreiter, Gerhard (2002) Photogalvanischer Effekt in Si/Ge-Quantentrögen. In: Fruehjahrstagung der Deutschen-Physikalischen-Gesellschaft, 11. - 15. März 2002, Regensburg.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:39
Konferenz- oder Workshop-Beitrag
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Vortrag) |
| Seitenbereich: | S. 207 |
|---|---|
| Datum | 2002 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| Dokumenten-ID | 2406 |
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