Circular photogalvanic effect in Si/Ge semiconductor quantum wells
Ganichev, Sergey, Kalz, Franz-Peter, Prettl, Wilhelm, Neumann, Richard, Brunner, K., Abstreiter, Gerhard und Ivchenko, Eougenious (2001) Circular photogalvanic effect in Si/Ge semiconductor quantum wells. In: MRS Fall Meeting, 26. - 30. November 2001, Boston, Massachusetts, USA.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:39
Konferenz- oder Workshop-Beitrag
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Anderer) |
| Datum | 2001 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| Dokumenten-ID | 2410 |
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