Ziemann, E., Ganichev, Sergey, Yassievich, Irina und Prettl, Wilhelm (1998) Charakterisierung tiefer Störstellen in Halbleitern durch Tunnel-ionisation in Terahertzfeldern. In: Fruehjahrstagung der Deutschen-Physikalischen-Gesellschaft, 1998, Regensburg.
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Zusammenfassung
Die phononenunterstützte Tunnelionisation und andere Feldeffekte wie direktes Tunneln und der Poole-Frenkel-Effekt im elektrischen Feld der Strahlung leistungsstarker FIR-Laser bieten neue Möglichkeiten zur Charakterisierung tiefer Störstellen in Halbleitern. Durch gepulste Bestrahlung mit einem optisch gepumpten FIR-Laser lassen sich homogene elektrische Terahertzfelder hoher Intensität ...
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| Dokumentenart: | Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Poster) |
|---|---|
| Datum: | 1998 |
| Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status: | Veröffentlicht |
| Begutachtet: | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden: | Ja |
| Dokumenten-ID: | 2445 |
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