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Charakterisierung tiefer Störstellen in Halbleitern durch Tunnel-ionisation in Terahertzfeldern

Ziemann, E. ; Ganichev, Sergey ; Yassievich, Irina ; Prettl, Wilhelm


Abstract

Die phononenunterstützte Tunnelionisation und andere Feldeffekte wie direktes Tunneln und der Poole-Frenkel-Effekt im elektrischen Feld der Strahlung leistungsstarker FIR-Laser bieten neue Möglichkeiten zur Charakterisierung tiefer Störstellen in Halbleitern. Durch gepulste Bestrahlung mit einem optisch gepumpten FIR-Laser lassen sich homogene elektrische Terahertzfelder hoher Intensität ...

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