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Nahfeld-Verstaerkung des photoresistiven Effektes in n-GaAs/Al-Schottky-Tunnelkontakten

Zepezauer, E., Shul'man, A., Kotel'nikov, I., Ganichev, Sergey, Ormont, A. und Prettl, Wilhelm (1998) Nahfeld-Verstaerkung des photoresistiven Effektes in n-GaAs/Al-Schottky-Tunnelkontakten. In: Fruehjahrstagung der Deutschen-Physikalischen-Gesellschaft, 1998, Regensburg.

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Zusammenfassung

Die Bestrahlung eines n-GaAs/Metall-Tunnel-Schottky- Kontaktes durch die halbtransparente Metallelektrode mit FIR-Strahlung mit Frequenzen unterhalb der Halbleiter-Plasmafrequenz führt zu einer schnellen Änderung des Tunnelwiderstandes, verursacht durch Strahlungsdruck auf das unipolare Plasma und die Rekonstruktion der selbstkonsistenten Schottky-Potentialbarriere. Dieser Effekt ist unabhängig ...

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Dokumentenart:Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Poster)
Datum:1998
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:18
Dokumenten-ID:2447
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