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Nahfeld-Verstaerkung des photoresistiven Effektes in n-GaAs/Al-Schottky-Tunnelkontakten

Zepezauer, E. ; Shul'man, A. ; Kotel'nikov, I. ; Ganichev, Sergey ; Ormont, A. ; Prettl, Wilhelm


Abstract

Die Bestrahlung eines n-GaAs/Metall-Tunnel-Schottky- Kontaktes durch die halbtransparente Metallelektrode mit FIR-Strahlung mit Frequenzen unterhalb der Halbleiter-Plasmafrequenz führt zu einer schnellen Änderung des Tunnelwiderstandes, verursacht durch Strahlungsdruck auf das unipolare Plasma und die Rekonstruktion der selbstkonsistenten Schottky-Potentialbarriere. Dieser Effekt ist unabhängig ...

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