Go to content
UR Home

Nahfeld-Verstaerkung des photoresistiven Effektes in n-GaAs/Al-Schottky-Tunnelkontakten

Zepezauer, E., Shul'man, A., Kotel'nikov, I., Ganichev, Sergey, Ormont, A. and Prettl, Wilhelm (1998) Nahfeld-Verstaerkung des photoresistiven Effektes in n-GaAs/Al-Schottky-Tunnelkontakten. In: Fruehjahrstagung der Deutschen-Physikalischen-Gesellschaft, 1998, Regensburg.

Full text not available from this repository.


Abstract

Die Bestrahlung eines n-GaAs/Metall-Tunnel-Schottky- Kontaktes durch die halbtransparente Metallelektrode mit FIR-Strahlung mit Frequenzen unterhalb der Halbleiter-Plasmafrequenz führt zu einer schnellen Änderung des Tunnelwiderstandes, verursacht durch Strahlungsdruck auf das unipolare Plasma und die Rekonstruktion der selbstkonsistenten Schottky-Potentialbarriere. Dieser Effekt ist unabhängig ...

plus


Export bibliographical data



Item type:Conference or workshop item (Poster)
Date:1998
Institutions:Physics > Institute of Experimental and Applied Physics > Professor Ganichev > Group Sergey Ganichev
Dewey Decimal Classification:500 Science > 530 Physics
Status:Published
Refereed:Yes, this version has been refereed
Created at the University of Regensburg:Yes
Item ID:2447
Owner only: item control page
  1. Homepage UR

University Library

Publication Server

Contact:

Publishing: oa@ur.de

Dissertations: dissertationen@ur.de

Research data: daten@ur.de

Contact persons