Zusammenfassung
Die Bestrahlung eines n-GaAs/Metall-Tunnel-Schottky- Kontaktes durch die halbtransparente Metallelektrode mit FIR-Strahlung mit Frequenzen unterhalb der Halbleiter-Plasmafrequenz führt zu einer schnellen Änderung des Tunnelwiderstandes, verursacht durch Strahlungsdruck auf das unipolare Plasma und die Rekonstruktion der selbstkonsistenten Schottky-Potentialbarriere. Dieser Effekt ist unabhängig ...
Zusammenfassung
Die Bestrahlung eines n-GaAs/Metall-Tunnel-Schottky- Kontaktes durch die halbtransparente Metallelektrode mit FIR-Strahlung mit Frequenzen unterhalb der Halbleiter-Plasmafrequenz führt zu einer schnellen Änderung des Tunnelwiderstandes, verursacht durch Strahlungsdruck auf das unipolare Plasma und die Rekonstruktion der selbstkonsistenten Schottky-Potentialbarriere. Dieser Effekt ist unabhängig von der FIR-Frequenz, solange diese kleiner als die Plasmafrequenz ist, und linear mit der Intensität. Es wurde beobachtet, daß mikroskopische Oberflächenstrukturen in der Metallelektrode als beugende Sub-Wellenlängen-Aperturen zu einer stark superlinearen Intensitätsabhängigkeit der Antwort führen. Die charakteristische Intensität am Beginn des nichtlinearen Bereiches und die Stärke der Nichtlinearität sind vom Durchmesser dieser Aperturen abhängig. Es wird gezeigt, daß diese Superlinearität durch Verstärkung der ponderomotiven Kraft im Nahfeldbereich der beugenden Aperturen verursacht wird. Dabei treten Verstärkungsfaktoren von bis zu 105 auf.
Weitere Literatur (mittels CORE)