Shul'man, A., Kotel'nikov, I., Ganichev, Sergey, Ormont, A., Varvanin, N. und Prettl, Wilhelm (1997) Giant nonlinearity of photoresistive effect in n-GaAs/Al tunnel junctions with micro- inhomogeneties of metal electrode. In: 3rd Russian conference on semiconductor physics "Semiconductors-97", 01. - 05. Dezember 1997, Moskau, Russland.
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| Dokumentenart: | Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Nicht ausgewählt) |
|---|---|
| Datum: | 1997 |
| Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status: | Veröffentlicht |
| Begutachtet: | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden: | Ja |
| Eingebracht am: | 05 Okt 2007 |
| Zuletzt geändert: | 24 Mai 2018 09:51 |
| Dokumenten-ID: | 2450 |
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