Shul'man, A. ; Kotel'nikov, I. ; Ganichev, Sergey ; Ormont, A. ; Varvanin, N. ; Prettl, Wilhelm

Giant nonlinearity of photoresistive effect in n-GaAs/Al tunnel junctions with micro- inhomogeneties of metal electrode

Shul'man, A., Kotel'nikov, I., Ganichev, Sergey, Ormont, A., Varvanin, N. und Prettl, Wilhelm (1997) Giant nonlinearity of photoresistive effect in n-GaAs/Al tunnel junctions with micro- inhomogeneties of metal electrode. In: 3rd Russian conference on semiconductor physics "Semiconductors-97", 01. - 05. Dezember 1997, Moskau, Russland.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:39
Konferenz- oder Workshop-Beitrag

Beteiligte Einrichtungen

Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
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Details

Dokumentenart	Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Nicht ausgewählt)
Seitenbereich:	S. 162
Datum	1997
Institutionen	Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation	500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status	Veröffentlicht
Begutachtet	Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden	Ja
Dokumenten-ID	2450

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