Kotel'nikov, I. ; Shul'man, A. ; Mordovets, N. ; Varvanin, N. ; Ganichev, Sergey ; Mayerhofer, B. ; Prettl, Wilhelm

Effect of pulsed FIR laser radiation on tunnel and channel resistance of delta-doped GaAs

Konferenz- oder Workshop-Beitrag

Kotel'nikov, I., Shul'man, A., Mordovets, N., Varvanin, N., Ganichev, Sergey, Mayerhofer, B. und Prettl, Wilhelm (1995) Effect of pulsed FIR laser radiation on tunnel and channel resistance of delta-doped GaAs. In: International Semiconductor Device Research Symposium (invited), 5. - 8. Dezember 1995, Charlottesville, Virginia, USA.

Beteiligte Einrichtungen

Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
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Details

Dokumentenart	Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Nicht ausgewählt)
Seitenbereich	W3P-6
Datum	1995
Veröffentlichungsdatum	05 Aug 2009 13:39
Institutionen	Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation	500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status	Veröffentlicht
Begutachtet	Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden	Ja
Dokumenten-ID	2466

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