Kotel'nikov, I. ; Shul'man, A. ; Mordovets, N. ; Varvanin, N. ; Ganichev, Sergey ; Mayerhofer, B. ; Prettl, Wilhelm

Effect of pulsed FIR laser radiation on tunnel and channel resistance of delta-doped GaAs

Kotel'nikov, I., Shul'man, A., Mordovets, N., Varvanin, N., Ganichev, Sergey, Mayerhofer, B. und Prettl, Wilhelm (1995) Effect of pulsed FIR laser radiation on tunnel and channel resistance of delta-doped GaAs. In: International Semiconductor Device Research Symposium (invited), 5. - 8. Dezember 1995, Charlottesville, Virginia, USA.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:39
Konferenz- oder Workshop-Beitrag

Beteiligte Einrichtungen

Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
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Details

Dokumentenart	Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Nicht ausgewählt)
Seitenbereich:	W3P-6
Datum	1995
Institutionen	Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation	500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status	Veröffentlicht
Begutachtet	Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden	Ja
Dokumenten-ID	2466

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