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Bulk and structure inversion asymmetry in semiconductor quantum well structures

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-258859

Lechner, Vera (2012) Bulk and structure inversion asymmetry in semiconductor quantum well structures. Dissertation, Universität Regensburg.

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Zusammenfassung (Englisch)

Spintronics utilizes the electron’s spin degree of freedom as information carrier. The basis of this fast growing research area is given by spin-orbit coupling (SOI), which lifts the spin degeneracy of the energy bands in low dimensional semiconductor heterostructures. The resulting spin dependent band splitting in k-space is described by the k-linear Rashba terms and the k-linear and k-cubic ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Deutsch)

In der Spintronik wird der Spin eines Elektrons als Informationsträger genutzt. Die Grundlage dieses schnell wachsenden Forschungsgebiets liefert die Spin-Bahn-Kopplung (SOI), die die Spinentartung der Energiebänder in niederdimensionalen Halbleiter-Heterostrukturen aufhebt. Die daraus resultierende Spin-abhängige Band-Aufspaltung im k-Raum wird durch k-lineare Rashba-Terme und k-lineare sowie ...

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Dokumentenart:Hochschulschrift der Universität Regensburg (Dissertation)
Datum:17 September 2012
Begutachter (Erstgutachter):Prof. Dr. Sergey D. Ganichev
Tag der Prüfung:19 Juli 2012
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Stichwörter / Keywords:Spin-orbit interaction, Rashba, Dresselhaus, BIA, SIA, persistent spin helix, III-V semiconductor, quantum wells, spin relaxation, weak anti-localization
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:17 Sep 2012 07:29
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:34
Dokumenten-ID:25885
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