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Epitaxie von (Ga,Mn)As

URN to cite this document:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-258925
Utz, Martin
Date of publication of this fulltext: 09 Oct 2012 08:58


Abstract (German)

Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der Verbesserung der magnetischen Eigenschaften des ferromagnetischen Halbleiters Galliummanganarsenid (GaMnAs), der ein wichtiges Ausgangsmaterial für die Forschung auf dem Gebiet der Spintronik darstellt. Es wird erläutert, wie mit Hilfe der Bandkanten-Absorptionsspektroskopie und einem speziellen Verfahren zur Eichung der Materialflüsse die Kontrolle ...

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Translation of the abstract (English)

The focus of this work lies on the enhancement of the magnetic properties of the ferromagnetic semiconductor Gallium manganese arsenide (GaMnAs), which is a basic material for the research in spintronics: It is told, how a high sample reproducibility and a strong control over the growth process can be gained by applying band edge spectroscopy and a special procedure for the material flux ...

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