TAMR-Effekt beim Tunneln durch einkristalline GaAs-Barrieren

Item type:	Thesis of the University of Regensburg (PhD)
Open Access Type:	Primary Publication
Date:	6 February 2013
Referee:	Prof. Dr. Dieter Weiss
Date of exam:	28 January 2013
Institutions:	Physics > Institute of Experimental and Applied Physics > Chair Professor Weiss > Group Dieter Weiss
Interdisciplinary Subject Network:	Not selected
Keywords:	TAMR, GaAS, tunnelling, tunnelling barrier, Fe, FeCo, FePt, Rashba, Dresselhaus, spin orbit interaction, Tunneln, Tunnelbarriere, Spin Bahn Wechselwirkung
Dewey Decimal Classification:	500 Science > 530 Physics
Status:	Published
Refereed:	Yes, this version has been refereed
Created at the University of Regensburg:	Yes
Item ID:	27633

Abstract (German)

Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurden Untersuchungen zum TAMR-Effekt in magnetischen Tunnelstrukturen mit einer einkristallinen GaAs-Barriere durchgeführt. Als ferromagnetische Elektrodenmaterialien wurden hierfür Fe-, FeCo- und FePt-Schichten verwendet. Der auftretende TAMR-Effekt wurde hierbei bezüglich seines Verhaltens gegenüber Veränderungen der äußeren Parameter, wie der angelegten ...

Abstract (German)

Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurden Untersuchungen zum TAMR-Effekt in magnetischen Tunnelstrukturen mit einer einkristallinen GaAs-Barriere durchgeführt. Als ferromagnetische Elektrodenmaterialien wurden hierfür Fe-, FeCo- und FePt-Schichten verwendet. Der auftretende TAMR-Effekt wurde hierbei bezüglich seines Verhaltens gegenüber Veränderungen der äußeren Parameter, wie der angelegten Spannung, der Temperatur und dem äußeren Magnetfeld untersucht. Die physikalische Ursache des Effekts wurde der Wechselwirkung von Rashba- und Dresselhaus-Spin-Bahn-Wechselwirkung im Inneren der Tunnelbarriere und an den Metall/Halbleiter-Grenzflächen zugesprochen.

Translation of the abstract (English)

Within the scope of this thesis the TAMR-effect in magnetic tunnel junctions with a single-cristalline GaAs-barrier was investigated. As ferromagnetic electrodes Fe-, FeCo- and FePt-layers were used. The measured TAMR-effect was investigated with respect to its behaviour towards changes in external Parameters, like the applied voltage, the temperature and the external magnetic field. The physical ...

Translation of the abstract (English)

Within the scope of this thesis the TAMR-effect in magnetic tunnel junctions with a single-cristalline GaAs-barrier was investigated. As ferromagnetic electrodes Fe-, FeCo- and FePt-layers were used. The measured TAMR-effect was investigated with respect to its behaviour towards changes in external Parameters, like the applied voltage, the temperature and the external magnetic field. The physical origin of the effect was attributed to the interaction of Rashba- and Dresselhaus-Spin-Orbit-coupling inside the tunnelling barrier and at the metal/semiconductor-interfaces.

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