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TAMR-Effekt beim Tunneln durch einkristalline GaAs-Barrieren

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-276332

Lobenhofer, Michael (2013) TAMR-Effekt beim Tunneln durch einkristalline GaAs-Barrieren. Dissertation, Universität Regensburg.

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Zusammenfassung (Deutsch)

Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurden Untersuchungen zum TAMR-Effekt in magnetischen Tunnelstrukturen mit einer einkristallinen GaAs-Barriere durchgeführt. Als ferromagnetische Elektrodenmaterialien wurden hierfür Fe-, FeCo- und FePt-Schichten verwendet. Der auftretende TAMR-Effekt wurde hierbei bezüglich seines Verhaltens gegenüber Veränderungen der äußeren Parameter, wie der angelegten ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Englisch)

Within the scope of this thesis the TAMR-effect in magnetic tunnel junctions with a single-cristalline GaAs-barrier was investigated. As ferromagnetic electrodes Fe-, FeCo- and FePt-layers were used. The measured TAMR-effect was investigated with respect to its behaviour towards changes in external Parameters, like the applied voltage, the temperature and the external magnetic field. The physical ...

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Dokumentenart:Hochschulschrift der Universität Regensburg (Dissertation)
Datum:6 Februar 2013
Begutachter (Erstgutachter):Prof. Dr. Dieter Weiss
Tag der Prüfung:28 Januar 2013
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss
Themenverbund:Nicht ausgewählt
Stichwörter / Keywords:TAMR, GaAS, tunnelling, tunnelling barrier, Fe, FeCo, FePt, Rashba, Dresselhaus, spin orbit interaction, Tunneln, Tunnelbarriere, Spin Bahn Wechselwirkung
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:06 Feb 2013 10:04
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:35
Dokumenten-ID:27633
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