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TAMR-Effekt beim Tunneln durch einkristalline GaAs-Barrieren

Lobenhofer, Michael (2013) TAMR-Effekt beim Tunneln durch einkristalline GaAs-Barrieren. PhD, Universität Regensburg.

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Date of publication of this fulltext: 06 Feb 2013 10:04

Abstract (German)

Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurden Untersuchungen zum TAMR-Effekt in magnetischen Tunnelstrukturen mit einer einkristallinen GaAs-Barriere durchgeführt. Als ferromagnetische Elektrodenmaterialien wurden hierfür Fe-, FeCo- und FePt-Schichten verwendet. Der auftretende TAMR-Effekt wurde hierbei bezüglich seines Verhaltens gegenüber Veränderungen der äußeren Parameter, wie der angelegten ...

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Translation of the abstract (English)

Within the scope of this thesis the TAMR-effect in magnetic tunnel junctions with a single-cristalline GaAs-barrier was investigated. As ferromagnetic electrodes Fe-, FeCo- and FePt-layers were used. The measured TAMR-effect was investigated with respect to its behaviour towards changes in external Parameters, like the applied voltage, the temperature and the external magnetic field. The physical ...

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Item type:Thesis of the University of Regensburg (PhD)
Date:6 February 2013
Referee:Prof. Dr. Dieter Weiss
Date of exam:28 January 2013
Institutions:Physics > Institute of Experimental and Applied Physics > Chair Professor Weiss > Group Dieter Weiss
Interdisciplinary Subject Network:Not selected
Keywords:TAMR, GaAS, tunnelling, tunnelling barrier, Fe, FeCo, FePt, Rashba, Dresselhaus, spin orbit interaction, Tunneln, Tunnelbarriere, Spin Bahn Wechselwirkung
Dewey Decimal Classification:500 Science > 530 Physics
Status:Published
Refereed:Yes, this version has been refereed
Created at the University of Regensburg:Yes
Item ID:27633
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