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Interplay between electrical transport properties of GeMn thin films and Ge substrates

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-277717

Sircar, N., Ahlers, S., Majer, C., Abstreiter, Gerhard und Bougeard, Dominique (2011) Interplay between electrical transport properties of GeMn thin films and Ge substrates. Phys. Rev. B 83, S. 125306.

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Zusammenfassung

We present evidence that electrical transport studies of epitaxial p-type GeMn thin films fabricated on high-resistivity Ge substrates are severely influenced by parallel conduction through the substrate, related to the large intrinsic conductivity of Ge due to its small band gap. Anomalous Hall measurements and large magnetoresistance effects are completely understood by taking a dominating ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2011
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.83.125306DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Zum Teil
Eingebracht am:27 Feb 2013 14:09
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:36
Dokumenten-ID:27771
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