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Raman characterization of strain and composition in small-sized self-assembled Si/Ge dots

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-277765

Tan, P. H., Brunner, K., Bougeard, Dominique und Abstreiter, Gerhard (2003) Raman characterization of strain and composition in small-sized self-assembled Si/Ge dots. Phys. Rev. B 68, S. 125302.

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Zusammenfassung

A detailed Raman characterization of the structural properties of as-grown and annealed self-assembled Si/Ge dot multilayers is reported in this paper. Several new modes in as-grown or annealed Si/Ge dots and a frequency splitting of 4.2 cm(-1) between the longitudinal (LO) and transversal optical (TO) Ge-Ge modes in as-grown Si/Ge dots are observed in Raman spectra. An average Ge content of 0.8 ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2003
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.68.125302DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Nein
Eingebracht am:04 Mrz 2013 13:52
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:36
Dokumenten-ID:27776
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