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Depth profile of strain and composition in Si/Ge dot multilayers by microscopic phonon Raman spectroscopy

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-277920

Tan, P. H., Bougeard, Dominique, Abstreiter, Gerhard und Brunner, K. (2005) Depth profile of strain and composition in Si/Ge dot multilayers by microscopic phonon Raman spectroscopy. J. Appl. Phys. 98, S. 113517.

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Zusammenfassung

We characterized strain and Ge content depending on depth in a self-assembled Si/Ge dot multilayer by scanning a microscopic Raman probe at a (110) cleavage plane. The multilayer structure was deposited by molecular-beam epitaxy on a (001) Si substrate and consisted of 80 periods, each of them composed by 25 nm Si spacers and 8 monolayer Ge forming laterally and vertically uncorrelated islands ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2005
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.2140078DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Nein
Eingebracht am:05 Mrz 2013 07:24
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:36
Dokumenten-ID:27792
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