Resonant Raman scattering of discrete hole states in self-assembled Si/Ge quantum dots
Bougeard, Dominique, Tan, P. H., Sabathil, M., Vogl, P., Abstreiter, Gerhard und Brunner, K. (2004) Resonant Raman scattering of discrete hole states in self-assembled Si/Ge quantum dots. Physica E 21, S. 312.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Mrz 2013 07:22
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Physica E | ||||
| Verlag: | Elsevier | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Band: | 21 | ||||
| Seitenbereich: | S. 312 | ||||
| Datum | 2004 | ||||
| Zusätzliche Informationen (Öffentlich) | 11th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS11), Nara, JAPAN, JUL 14-18, 2003 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Nein | ||||
| Dokumenten-ID | 27793 |
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