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Resonant Raman scattering of discrete hole states in self-assembled Si/Ge quantum dots

Bougeard, Dominique, Tan, P. H., Sabathil, M., Vogl, P., Abstreiter, Gerhard und Brunner, K. (2004) Resonant Raman scattering of discrete hole states in self-assembled Si/Ge quantum dots. Physica E 21, S. 312.

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Zusammenfassung

We report the first resonant electronic Raman spectroscopy study of discrete electronic transitions within small p-doped self-assembled Si/Ge quantum dots (QDs). A heavy hole (hh) to light hole (lh) Raman transition with a dispersionless energy of 105 meV and a resonance energy of the hh states to virtually localised electrons at the direct band gap of 2.5 eV are observed. The hh-lh transition ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2004
Zusätzliche Informationen (Öffentlich):11th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS11), Nara, JAPAN, JUL 14-18, 2003
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/j.physe.2003.11.019DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Nein
Eingebracht am:05 Mrz 2013 07:22
Zuletzt geändert:05 Mrz 2013 07:22
Dokumenten-ID:27793
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