Resonant Raman scattering of discrete hole states in self-assembled Si/Ge quantum dots
Artikel
Bougeard, Dominique, Tan, P. H., Sabathil, M., Vogl, P., Abstreiter, Gerhard und Brunner, K. (2004) Resonant Raman scattering of discrete hole states in self-assembled Si/Ge quantum dots. Physica E 21, S. 312.Alternative Links zum Volltext
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Physica E | ||||
| Verlag | Elsevier | ||||
| Band | 21 | ||||
| Seitenbereich | S. 312 | ||||
| Datum | 2004 | ||||
| Veröffentlichungsdatum | 05 Mrz 2013 07:22 | ||||
| Zusätzliche Informationen (Öffentlich) | 11th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS11), Nara, JAPAN, JUL 14-18, 2003 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Nein | ||||
| Dokumenten-ID | 27793 |
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