Ge quantum dots in Si: self-assembly, stacking and level spectroscopy
Brunner, K., Herbst, M., Bougeard, Dominique, Miesner, C., Asperger, T., Schramm, C. und Abstreiter, Gerhard (2002) Ge quantum dots in Si: self-assembly, stacking and level spectroscopy. Physica E 13, S. 1018.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Mrz 2013 07:15
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Physica E | ||||
| Verlag: | Elsevier | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Band: | 13 | ||||
| Seitenbereich: | S. 1018 | ||||
| Datum | 2002 | ||||
| Zusätzliche Informationen (Öffentlich) | 10th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, LINZ, AUSTRIA, JUL 23-27, 2001 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Nein | ||||
| Dokumenten-ID | 27795 |
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