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Ge quantum dots in Si: self-assembly, stacking and level spectroscopy

Brunner, K., Herbst, M., Bougeard, Dominique, Miesner, C., Asperger, T., Schramm, C. und Abstreiter, Gerhard (2002) Ge quantum dots in Si: self-assembly, stacking and level spectroscopy. Physica E 13, S. 1018.

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Zusammenfassung

Ge quantum dots in Si were fabricated by molecular beam epitaxy in the Stranski Krastanow growth mode at low substrate temperatures and were investigated by optical and electrical spectroscopy. The dot size is about 20 nm in width and 2 nm in height for a substrate temperature of about 510 C. The effective valence band structure of such Si/Ge quantum dots is consistently analyzed by type-II ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2002
Zusätzliche Informationen (Öffentlich):10th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, LINZ, AUSTRIA, JUL 23-27, 2001
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/S1386-9477(02)00292-8DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Nein
Eingebracht am:05 Mrz 2013 07:15
Zuletzt geändert:05 Mrz 2013 07:15
Dokumenten-ID:27795
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