A Schottky top-gated two-dimensional electron system in a nuclear spin free Si/SiGe heterostructure
Sailer, J., Lang, V., Abstreiter, G., Tsuchiya, G., Itoh, K. M., Ager, J. W., Haller, E. E., Kupidura, D., Harbusch, D., Ludwig, S. und Bougeard, Dominique (2009) A Schottky top-gated two-dimensional electron system in a nuclear spin free Si/SiGe heterostructure. Phys. Stat. Sol. RRL 3, S. 61.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Mrz 2013 14:45
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Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Phys. Stat. Sol. RRL | ||||
| Verlag: | Wiley-VCH | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Band: | 3 | ||||
| Seitenbereich: | S. 61 | ||||
| Datum | 2009 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| Dokumenten-ID | 27800 |
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