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A Schottky top-gated two-dimensional electron system in a nuclear spin free Si/SiGe heterostructure

Sailer, J., Lang, V., Abstreiter, G., Tsuchiya, G., Itoh, K. M., Ager, J. W., Haller, E. E., Kupidura, D., Harbusch, D., Ludwig, S. und Bougeard, Dominique (2009) A Schottky top-gated two-dimensional electron system in a nuclear spin free Si/SiGe heterostructure. Phys. Stat. Sol. RRL 3, S. 61.

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Zusammenfassung

We report on the realization and top-gating of a two-dimensional electron system in a nuclear spin free environment using (28)Si and (70)Ge source material in molecular beam epitaxy. Electron spin decoherence is expected to be minimized in nuclear spin-free materials, making them promising hosts for solid-state based quantum information processing devices. The two-dimensional electron system ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2009
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1002/pssr.200802275DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:05 Mrz 2013 14:45
Zuletzt geändert:05 Mrz 2013 14:45
Dokumenten-ID:27800
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