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Dvoretsky, S. ; Mikhailov, N. ; Sidorov, Y. ; Shvets, V. ; Danilov, Sergey ; Wittmann, B. ; Ganichev, Sergey

Growth of HgTe Quantum Wells for IR to THz Detectors

Artikel

Dvoretsky, S., Mikhailov, N., Sidorov, Y., Shvets, V., Danilov, Sergey, Wittmann, B. und Ganichev, Sergey (2010) Growth of HgTe Quantum Wells for IR to THz Detectors. Journal of Electronic Materials 39 (7), S. 918-923.



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Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftJournal of Electronic Materials
VerlagTMS
Band39
Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels7
SeitenbereichS. 918-923
Datum2010
Veröffentlichungsdatum24 Jun 2013 10:15
InstitutionenPhysik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Identifikationsnummer
WertTyp
10.1007/s11664-010-1191-7DOI
Stichwörter / KeywordsGrowth, HgTe, HgCdTe, quantum wells (QWs), ellipsometric parameters, MBE, far-infrared, mid-infrared, detector
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetJa, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstandenUnbekannt / Keine Angabe
Dokumenten-ID27852

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