Dokumentenart: | Artikel | ||||
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Titel eines Journals oder einer Zeitschrift: | Journal of Electronic Materials | ||||
Verlag: | TMS | ||||
Band: | 39 | ||||
Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 7 | ||||
Seitenbereich: | S. 918-923 | ||||
Datum: | 2010 | ||||
Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev | ||||
Identifikationsnummer: |
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Stichwörter / Keywords: | Growth, HgTe, HgCdTe, quantum wells (QWs), ellipsometric parameters, MBE, far-infrared, mid-infrared, detector | ||||
Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
Status: | Veröffentlicht | ||||
Begutachtet: | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
An der Universität Regensburg entstanden: | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
Dokumenten-ID: | 27852 |
Metadaten zuletzt geändert: 25 Mai 2018 12:56
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