Growth of HgTe Quantum Wells for IR to THz Detectors
Dvoretsky, S., Mikhailov, N., Sidorov, Y., Shvets, V., Danilov, Sergey, Wittmann, B. und Ganichev, Sergey (2010) Growth of HgTe Quantum Wells for IR to THz Detectors. Journal of Electronic Materials 39 (7), S. 918-923.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 24 Jun 2013 10:15
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Journal of Electronic Materials | ||||
| Verlag: | TMS | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Band: | 39 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 7 | ||||
| Seitenbereich: | S. 918-923 | ||||
| Datum | 2010 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | Growth, HgTe, HgCdTe, quantum wells (QWs), ellipsometric parameters, MBE, far-infrared, mid-infrared, detector | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| Dokumenten-ID | 27852 |
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