Dvoretsky, S., Mikhailov, N., Sidorov, Y., Shvets, V., Danilov, Sergey, Wittmann, B. und Ganichev, Sergey (2010) Growth of HgTe Quantum Wells for IR to THz Detectors. Journal of Electronic Materials 39 (7), S. 918-923.
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| Dokumentenart: | Artikel | ||||
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| Datum: | 2010 | ||||
| Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev | ||||
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| Stichwörter / Keywords: | Growth, HgTe, HgCdTe, quantum wells (QWs), ellipsometric parameters, MBE, far-infrared, mid-infrared, detector | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status: | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet: | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden: | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| Eingebracht am: | 24 Jun 2013 10:15 | ||||
| Zuletzt geändert: | 25 Mai 2018 12:56 | ||||
| Dokumenten-ID: | 27852 |
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