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High-mobility two-dimensional hole gases in III-V semiconductor heterostructures: growth and transport properties

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-278908

Hirmer, Marika (2013) High-mobility two-dimensional hole gases in III-V semiconductor heterostructures: growth and transport properties. Dissertationsreihe der Fakultät für Physik der Universität Regensburg 29, Dissertation, Universität Regensburg.

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Zusammenfassung (Englisch)

In this work, we investigated very high quality carbon-doped two-dimensional hole gases (2DHGs). The first part deal with high-mobility GaAs/AlGaAs quantum wells (QWs). Optimizing the heterostructure design, the hole mobility was extremely increased. Quantum Hall effect, photoconductivity effect, Rashba spin splitting, fractional quantum Hall effect (revealing interesting anisotropy in the ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Deutsch)

In dieser Arbeit wurden mit Kohlenstoff dotierte zwei dimensionale Lochgase (2DHGs) von sehr hoher Qualität untersucht. Der erste Teil behandelt hochbewegliche GaAs/AlGaAs Quanten-Tröge (QWs). Mit der Optimierung des Designs der Heterostruktur konnte die Lochbeweglichkeit enorm erhöht werden. Es wurden insbesondere der Quantum Hall-Effekt, der Photoconductivity-Effekt, die Rashba ...

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Dokumentenart:Hochschulschrift der Universität Regensburg (Dissertation)
Schriftenreihe der Universität Regensburg:Dissertationsreihe der Fakultät für Physik der Universität Regensburg
Datum:19 März 2013
Begutachter (Erstgutachter):Prof. Dr. Werner Wegscheider
Tag der Prüfung:9 November 2012
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Stichwörter / Keywords:molecular beam epitaxy, two-dimensional hole gas, heterostructure, magnetotransport, gallium arsenide, gallium aluminum arsenide, indium arsenide, indium gallium arsenide, indium aluminum arsenide, spin-orbit coupling, spin splitting, quantum Hall effect, fractional quantum Hall effect, activation gap, weak antilocalization, hole-hole interaction, photoconductivity
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:19 Mrz 2013 11:50
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:36
Dokumenten-ID:27890
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