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Spin-Injection into GaAs using ferromagnetic (Ga,Mn)As contacts

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-284238

Einwanger, Andreas (2013) Spin-Injection into GaAs using ferromagnetic (Ga,Mn)As contacts. Dissertation, Universität Regensburg.

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Zusammenfassung (Englisch)

In our work we have employed a successful all electrical and all semiconductor spin injection scheme. Our samples base on a new class of so-called diluted magnetic semiconductors, namely its best known representative GaMnAs. In our experiments we were able to reliably achieve spin injection efficiencies of remarkably high 50% and slightly above. The results obtained from nonlocal in-plane ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Deutsch)

In dieser Arbeit wurde elektrische Spin-Injektion in einem komplett aus Halbleitern bestehendem Bauelement nachgewiesen. Unsere Proben basierten auf einer neuen Materialklasse von so genannten Verdünnten Magnetischen Halbleitern, insbesondere derem bekanntesten Vertreter GaMnAs. Wir konnten wiederholt bemerkenswert hohe Spin-Injektionseffizienzen von über 50% erzielen.Dabei waren die Ergebnisse ...

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Dokumentenart:Hochschulschrift der Universität Regensburg (Dissertation)
Datum:2 Juli 2013
Begutachter (Erstgutachter):Prof. Dr. Dieter Weiss
Tag der Prüfung:16 Juli 2012
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss
Stichwörter / Keywords:(Ga,Mn)As, GaMnAs, Spin, Spin-Injection, Spin-Diffusion, Spin-Injection-Efficiency, Spin-Diffusion-Length, Spin-Relaxation, Spin-Dynamics, Semiconductor, ESAKI-Diodes, Drift and Diffusion, TAMR, TASP, Anisotropy, MBE, Datta-Das Spin-FET, non-local, Spin-Valve, Hanle, Dynamic-Nuclear-Polarization DNP, GaAs, EBL, RIE
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:02 Jul 2013 14:39
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:36
Dokumenten-ID:28423
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