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Quantitative Bestimmung innerer elektrischer Felder mit Hilfe von Differentieller Phasenkontrastmikroskopie

URN to cite this document:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-287417
Lohr, Matthias
Date of publication of this fulltext: 30 Aug 2013 14:24


Abstract (German)

Leucht- und Laserdioden (LEDs bzw. LDs) erfahren seit einigen Jahren verstärkte Aufmerksamkeit in der Öffentlichkeit, da sie unter anderem zur energieeffizienten Allgemeinbeleuchtung verwendet werden können. Ermöglicht haben dies maßgeblich Fortschritte auf dem Gebiet der III-V-Halbleiter, im Speziellen der Gruppe-III-Nitride. Diese umfassen die binären Materialien Aluminiumnitrid (AlN), ...

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Translation of the abstract (English)

Light emitting and laser diodes (LEDs and LDs) attract increasing public attention due to their possible use in energy efficient general lighting. This was provided for by advances in the field of III-V-semiconductors, in particular of group-III-nitrides. They involve the binary componds aluminium nitride (AlN), gallium nitride (GaN) and indium nitride (InN) and their ternary and quaternary ...

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