Zabel, Thomas, Sircar, Narayan, Hauke, Norman, Zweck, Josef, Döblinger, Markus, Kaniber, Michael, Finley, J. J., Abstreiter, Gerhard, Arakawa, Y. und Bougeard, Dominique (2013) Laterally self-ordered silicon-germanium islands with optimized confinement properties. Applied Physics Letters 103, 063105.
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Zusammenfassung
We present an analysis of the electronic confinement properties of self-assembled islands forming via silicon and germanium co-deposition in molecular beam epitaxy. This approach allows the fabrication of laterally self-ordered three dimensional islands in the Stranski-Krastanow growth mode. Using a systematic structural analysis, we derive a realistic fit-parameter free island model for band ...
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| Dokumentenart: | Artikel | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Datum: | 2013 | ||||
| Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard | ||||
| Identifikationsnummer: |
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| Stichwörter / Keywords: | band structure, Ge-Si alloys, island structure, molecular beam epitaxial growth, photoluminescence, self-assembly, semiconductor epitaxial layers, semiconductor growth, wave functions | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status: | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet: | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden: | Zum Teil | ||||
| Eingebracht am: | 23 Sep 2013 12:07 | ||||
| Zuletzt geändert: | 02 Jun 2018 15:22 | ||||
| Dokumenten-ID: | 28840 |
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