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Laterally self-ordered silicon-germanium islands with optimized confinement properties

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-288403

Zabel, Thomas, Sircar, Narayan, Hauke, Norman, Zweck, Josef, Döblinger, Markus, Kaniber, Michael, Finley, J. J., Abstreiter, Gerhard, Arakawa, Y. und Bougeard, Dominique (2013) Laterally self-ordered silicon-germanium islands with optimized confinement properties. Applied Physics Letters 103, 063105.

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Zusammenfassung

We present an analysis of the electronic confinement properties of self-assembled islands forming via silicon and germanium co-deposition in molecular beam epitaxy. This approach allows the fabrication of laterally self-ordered three dimensional islands in the Stranski-Krastanow growth mode. Using a systematic structural analysis, we derive a realistic fit-parameter free island model for band ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2013
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.4818331DOI
Stichwörter / Keywords:band structure, Ge-Si alloys, island structure, molecular beam epitaxial growth, photoluminescence, self-assembly, semiconductor epitaxial layers, semiconductor growth, wave functions
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Zum Teil
Eingebracht am:23 Sep 2013 12:07
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:37
Dokumenten-ID:28840
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