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Laterally self-ordered silicon-germanium islands with optimized confinement properties

Zabel, Thomas, Sircar, Narayan, Hauke, Norman, Zweck, Josef, Döblinger, Markus, Kaniber, Michael, Finley, J. J., Abstreiter, Gerhard, Arakawa, Y. und Bougeard, Dominique (2013) Laterally self-ordered silicon-germanium islands with optimized confinement properties. Applied Physics Letters 103, 063105.

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Zusammenfassung

We present an analysis of the electronic confinement properties of self-assembled islands forming via silicon and germanium co-deposition in molecular beam epitaxy. This approach allows the fabrication of laterally self-ordered three dimensional islands in the Stranski-Krastanow growth mode. Using a systematic structural analysis, we derive a realistic fit-parameter free island model for band ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2013
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.4818331DOI
Stichwörter / Keywords:band structure, Ge-Si alloys, island structure, molecular beam epitaxial growth, photoluminescence, self-assembly, semiconductor epitaxial layers, semiconductor growth, wave functions
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Zum Teil
Eingebracht am:23 Sep 2013 12:07
Zuletzt geändert:02 Jun 2018 15:22
Dokumenten-ID:28840
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