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Temperature dependence of ion-beam mixing in crystalline and amorphous germanium isotope multilayer structures

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-295799

Radek, M., Bracht, H., Posselt, M., Schmidt, B. und Bougeard, Dominique (2014) Temperature dependence of ion-beam mixing in crystalline and amorphous germanium isotope multilayer structures. Journal of Applied Physics 115, 023506.

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Zusammenfassung

Self-atom mixing induced by 310 keV gallium (Ga) ion implantation in crystalline and preamorphized germanium (Ge) at temperatures between 164 K and 623 K and a dose of 1 × 1015 cm−2 is investigated using isotopic multilayer structures of alternating 70 Ge and nat Ge layers grown by molecular beam epitaxy. The distribution of the implanted Ga atoms and the ion-beam induced depth-dependent ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:9 Januar 2014
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.4861174DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Zum Teil
Eingebracht am:21 Mrz 2014 06:56
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:37
Dokumenten-ID:29579
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