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Using Topological Insulator Proximity to Generate Perfectly Conducting Channels in Materials without Topologie Protection

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-296061

Essert, Sven, Krueckl, Viktor und Richter, Klaus (2014) Using Topological Insulator Proximity to Generate Perfectly Conducting Channels in Materials without Topologie Protection. New Journal of Physics 16, S. 113058.

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Andere URL zum Volltext: http://iopscience.iop.org/1367-2630/16/11/113058/article


Zusammenfassung

We show that hybrid structures of topological insulators and materials without topological protection can be employed to create perfectly conducting channels hosted in the non-topological part. These states inherit the topological protection from the proximity of the topological insulator but are more fragile to time-reversal symmetry breaking because of their extended character. We explore their ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:24 November 2014
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Richter > Arbeitsgruppe Klaus Richter
Projekte:Open Access Publizieren (DFG), SPP 1666, FOR 1483: Topological Electronics
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1088/1367-2630/16/11/113058DOI
1402.1095arXiv-ID
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://arxiv.org/abs/1402.1095v1Preprint
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:20 Mrz 2014 10:19
Zuletzt geändert:28 Apr 2017 15:16
Dokumenten-ID:29606
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