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Using Topological Insulator Proximity to Generate Perfectly Conducting Channels in Materials without Topologie Protection

Essert, Sven, Krueckl, Viktor und Richter, Klaus (2014) Using Topological Insulator Proximity to Generate Perfectly Conducting Channels in Materials without Topologie Protection. New Journal of Physics 16, S. 113058.

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 20 Mär 2014 10:19

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Andere URL zum Volltext: http://iopscience.iop.org/1367-2630/16/11/113058/article


Zusammenfassung

We show that hybrid structures of topological insulators and materials without topological protection can be employed to create perfectly conducting channels hosted in the non-topological part. These states inherit the topological protection from the proximity of the topological insulator but are more fragile to time-reversal symmetry breaking because of their extended character. We explore their ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:24 November 2014
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Richter > Arbeitsgruppe Klaus Richter
Projekte:Open Access Publizieren (DFG), SPP 1666, FOR 1483: Topological Electronics
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1088/1367-2630/16/11/113058DOI
1402.1095arXiv-ID
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://arxiv.org/abs/1402.1095v1Preprint
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Dokumenten-ID:29606
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