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Transportuntersuchungen an ferromagnetischen (Ga,Mn)As-Nanokontakten

URN to cite this document:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-297552
DOI to cite this document:
10.5283/epub.29755
Geißler, Stefan Michael
Date of publication of this fulltext: 11 Apr 2014 13:08



Abstract (German)

Wir berichten über die Herstellung und Charakterisierung von Nanokontakt (NC) -Strukturen aus dem verdünntmagnetischen Halbleiter (Ga,Mn)As. Die Arbeit wurde durch die Beobachtung von Schlapps et al. sowie Wunderlich et al. motiviert, dass (Ga,Mn)As-Proben, die eine einfache nanostrukturierte Engstelle in ihrem Strompfad besitzen, eine intrinsische Einzel-Elektronen-Transistor (SET)-Struktur ...

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Translation of the abstract (English)

We report on the fabrication and characterization of nanocontact (NC) devices made of the diluted magnetic semiconductor (Ga,Mn)As. This work has been motivated by the observation of Schlapps et al. and Wunderlich at al. that (Ga,Mn)As-devices with a simple nanoconstriction within the current path exhibit an intrinsic single-electron-transistor (SET) structure. The ferromagnetic order as well as ...

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