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TEM-Untersuchungen an GaN basierten Halbleiterheterostrukturen für optoelektronische Anwendungen

Beer, Martin (2014) TEM-Untersuchungen an GaN basierten Halbleiterheterostrukturen für optoelektronische Anwendungen. PhD, Universität Regensburg.

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Date of publication of this fulltext: 05 Jun 2014 15:49

Abstract (German)

Im Rahmen dieser Arbeit wurden transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Gruppe-III-Nitrid basierten Heterostrukturen durchgeführt. Die Untersuchungen lassen sich in zwei Schwerpunkte gliedern: Betrachtungen zu Versetzungen und zu Möglichkeiten zur Versetzungsreduktion und die Analyse von auf semipolaren Facetten gewachsenen Quantentrogstrukturen. Versetzungsanalyse Zu Beginn des ...

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Translation of the abstract (English)

In this work transmission electron microscopy analyses were performed on Group III nitride-based hetero- structures. The studies can be divided into two main areas: Investigations on dislocations and on possibilities of dislocation reduction and analysis of the growth of quantum well structures on semi-polar facets. Dislocation Analysis At the beginning of the chapter on dislocation analysis ...

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Item type:Thesis of the University of Regensburg (PhD)
Date:5 June 2014
Referee:Prof. Dr. Josef Zweck
Date of exam:22 July 2013
Institutions:Physics > Institute of Experimental and Applied Physics > Chair Professor Back > Group Josef Zweck
Keywords:GaN, Gruppe III Nitride, Versetzungen, dislocations, semi-polar
Dewey Decimal Classification:500 Science > 530 Physics
Status:Published
Refereed:Yes, this version has been refereed
Created at the University of Regensburg:Yes
Item ID:30066
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