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TEM-Untersuchungen an GaN basierten Halbleiterheterostrukturen für optoelektronische Anwendungen

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-300669

Beer, Martin (2014) TEM-Untersuchungen an GaN basierten Halbleiterheterostrukturen für optoelektronische Anwendungen. Dissertation, Universität Regensburg.

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Zusammenfassung (Deutsch)

Im Rahmen dieser Arbeit wurden transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Gruppe-III-Nitrid basierten Heterostrukturen durchgeführt. Die Untersuchungen lassen sich in zwei Schwerpunkte gliedern: Betrachtungen zu Versetzungen und zu Möglichkeiten zur Versetzungsreduktion und die Analyse von auf semipolaren Facetten gewachsenen Quantentrogstrukturen. Versetzungsanalyse Zu Beginn des ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Englisch)

In this work transmission electron microscopy analyses were performed on Group III nitride-based hetero- structures. The studies can be divided into two main areas: Investigations on dislocations and on possibilities of dislocation reduction and analysis of the growth of quantum well structures on semi-polar facets. Dislocation Analysis At the beginning of the chapter on dislocation ...

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Dokumentenart:Hochschulschrift der Universität Regensburg (Dissertation)
Datum:5 Juni 2014
Begutachter (Erstgutachter):Prof. Dr. Josef Zweck
Tag der Prüfung:22 Juli 2013
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Josef Zweck
Stichwörter / Keywords:GaN, Gruppe III Nitride, Versetzungen, dislocations, semi-polar
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Jun 2014 15:49
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:37
Dokumenten-ID:30066
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