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TEM-Untersuchungen an GaN basierten Halbleiterheterostrukturen für optoelektronische Anwendungen

URN to cite this document:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-300669
Beer, Martin
Date of publication of this fulltext: 05 Jun 2014 15:49


Abstract (German)

Im Rahmen dieser Arbeit wurden transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Gruppe-III-Nitrid basierten Heterostrukturen durchgeführt. Die Untersuchungen lassen sich in zwei Schwerpunkte gliedern: Betrachtungen zu Versetzungen und zu Möglichkeiten zur Versetzungsreduktion und die Analyse von auf semipolaren Facetten gewachsenen Quantentrogstrukturen. Versetzungsanalyse Zu Beginn des ...

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Translation of the abstract (English)

In this work transmission electron microscopy analyses were performed on Group III nitride-based hetero- structures. The studies can be divided into two main areas: Investigations on dislocations and on possibilities of dislocation reduction and analysis of the growth of quantum well structures on semi-polar facets. Dislocation Analysis At the beginning of the chapter on dislocation analysis ...

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