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Quantitative modeling of the temperature-dependent internal Quantum Efficiency in InGaN light emitting diodes

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-305326

Nirschl, Anna, Gomez-Iglesias, Alvaro, Sabathil, M., Hartung, Georg, Off, Jürgen und Bougeard, Dominique (2014) Quantitative modeling of the temperature-dependent internal Quantum Efficiency in InGaN light emitting diodes. Phys. Status Solidi A.

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Zusammenfassung

The temperature dependence of the internal quantum efficiency (IQE) of blue InGaN-based light emitting diodes is analyzed both experimentally and theoretically with a drift-diffusion transport model. A high-performance reference structure and two improved epitaxial designs are compared at different operating temperatures. In contrast to a simple ABC model, the proposed approach allows for ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:7 Juli 2014
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1002/pssa.201431155DOI
Stichwörter / Keywords:GaN; InGaN; internal quantum efficiency; light emitting diodes
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Zum Teil
Eingebracht am:31 Jul 2014 12:11
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:38
Dokumenten-ID:30532
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