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Long exciton in stacking-fault-free wurtztite GaAs nanowires

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-310307

Furthmeier, Stephan, Dirnberger, Florian, Hubmann, Joachim, Bauer, Benedikt, Korn, Tobias, Schüller, Christian, Zweck, Josef, Reiger, Elisabeth und Bougeard, Dominique (2014) Long exciton in stacking-fault-free wurtztite GaAs nanowires. Applied Physics Letters 105 (222109).

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Zusammenfassung

We present a combined photoluminescence and transmission electron microscopy study of single GaAs nanowires. Each wire was characterized both in microscopy and spectroscopy, allowing a direct correlation of the optical and the structural properties. By tuning the growth parameters, the nanowire crystal structure is optimized from a highly mixed zincblende–wurtzite structure to pure wurtzite. We ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:4 Dezember 2014
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.4903482DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:12 Dez 2014 14:17
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:38
Dokumenten-ID:31030
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