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Electrical Spin Injection into High Mobility 2D Systems

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-310322
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.31032
Oltscher, M. ; Ciorga, M. ; Utz, M. ; Schuh, Dieter ; Bougeard, Dominique ; Weiss, Dieter
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 11 Dez 2014 14:30



Zusammenfassung

We report on spin injection into a high mobility 2D electron system confined at an (Al,Ga)As/GaAs interface, using (Ga,Mn)As Esaki diode contacts as spin aligners. We measured a clear nonlocal spin valve signal, which varies nonmonotonically with the applied bias voltage. The magnitude of the signal cannot be described by the standard spin drift-diffusion model, because at maximum this would ...

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