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Gate-modulated thermopower of disordered nanowires: II. Variable-Range Hopping Regime

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-310763

Bosisio, Riccardo, Gorini, Cosimo, Fleury, Geneviève und Pichard, Jean-Louis (2014) Gate-modulated thermopower of disordered nanowires: II. Variable-Range Hopping Regime. New Journal of Physics 16, 095005.

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Zusammenfassung

We study the thermopower of a disordered nanowire in the field effect transistor configuration. After a first paper devoted to the elastic coherent regime (Bosisio, Fleury and Pichard 2014 New J. Phys. 16 035004), we consider here the inelastic activated regime taking place at higher temperatures. In the case where the charge transport is thermally assisted by phonons (Mott Variable Range Hopping ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2014
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Richter > Arbeitsgruppe Klaus Richter
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1088/1367-2630/16/9/095005DOI
arXiv:1403.7475arXiv-ID
Stichwörter / Keywords:thermoelectricity, nanowires, hopping transport, field effect transistor
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Nein
Eingebracht am:14 Jan 2015 06:44
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:38
Dokumenten-ID:31076
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