Gate-modulated thermopower of disordered nanowires: II. Variable-Range Hopping Regime

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-310763
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.31076

Bosisio, Riccardo ; Gorini, Cosimo ; Fleury, Geneviève ; Pichard, Jean-Louis

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 14 Jan 2015 06:44

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Zusammenfassung

We study the thermopower of a disordered nanowire in the field effect transistor configuration. After a first paper devoted to the elastic coherent regime (Bosisio, Fleury and Pichard 2014 New J. Phys. 16 035004), we consider here the inelastic activated regime taking place at higher temperatures. In the case where the charge transport is thermally assisted by phonons (Mott Variable Range Hopping ...