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Effect of Line Defects on the Electrical Transport
Properties of Monolayer MoS2 Sheet

Sengupta, A., Saha, D., Niehaus, Thomas A. und Mahapatra, S. (2015) Effect of Line Defects on the Electrical Transport
Properties of Monolayer MoS2 Sheet.
IEEE Transactions on Nanotechnology 14, S. 51.

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Zusammenfassung

We present a computational study on the impact of line defects on the electronic properties of monolayer MoS $_{2}$. Four different kinds of line defects with Mo and S as the bridging atoms, consistent with recent theoretical and experimental observations, are considered herein. We employ the density functional tight-binding (DFTB) method with a Slater–Koster-type DFTB-CP2K basis set for ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2015
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Thomas Niehaus
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1109/TNANO.2014.2364038DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:15 Jan 2015 14:29
Zuletzt geändert:15 Jan 2015 14:29
Dokumenten-ID:31225
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