Effect of Line Defects on the Electrical Transport
Properties of Monolayer MoS2 Sheet
Sengupta, A. 
, Saha, D., Niehaus, Thomas A. und Mahapatra, S.
(2015)
Effect of Line Defects on the Electrical TransportProperties of Monolayer MoS2 Sheet. IEEE Transactions on Nanotechnology 14, S. 51.
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 15 Jan 2015 14:29
Artikel
Alternative Links zum Volltext
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | IEEE Transactions on Nanotechnology | ||||
| Verlag: | IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | PISCATAWAY | ||||
| Band: | 14 | ||||
| Seitenbereich: | S. 51 | ||||
| Datum | 2015 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Theoretische Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Thomas Niehaus | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | ; Density functional tight-binding (DFTB); line defects; MoS2; non-equilibrium Green's function (NEGF) | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 31225 |
Bibliographische Daten exportieren
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
Altmetric
Altmetric