Sengupta, A., Saha, D., Niehaus, Thomas A. und Mahapatra, S.
(2015)
Effect of Line Defects on the Electrical Transport
Properties of Monolayer MoS2 Sheet.
IEEE Transactions on Nanotechnology 14, S. 51.
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Zusammenfassung
We present a computational study on the impact of line defects on the electronic properties of monolayer MoS $_{2}$. Four different kinds of line defects with Mo and S as the bridging atoms, consistent with recent theoretical and experimental observations, are considered herein. We employ the density functional tight-binding (DFTB) method with a Slater–Koster-type DFTB-CP2K basis set for ...
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| Dokumentenart: | Artikel | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Datum: | 2015 | ||||
| Institutionen: | Physik > Institut für Theoretische Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Thomas Niehaus | ||||
| Identifikationsnummer: |
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| Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status: | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet: | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden: | Ja | ||||
| Eingebracht am: | 15 Jan 2015 14:29 | ||||
| Zuletzt geändert: | 15 Jan 2015 14:29 | ||||
| Dokumenten-ID: | 31225 |
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