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Sengupta, A. ; Saha, D. ; Niehaus, Thomas A. ; Mahapatra, S.

Effect of Line Defects on the Electrical Transport
Properties of Monolayer MoS2 Sheet

Artikel

Sengupta, A. , Saha, D., Niehaus, Thomas A. und Mahapatra, S. (2015) Effect of Line Defects on the Electrical Transport
Properties of Monolayer MoS2 Sheet.
IEEE Transactions on Nanotechnology 14, S. 51.



Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftIEEE Transactions on Nanotechnology
VerlagIEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
Ort der VeröffentlichungPISCATAWAY
Band14
SeitenbereichS. 51
Datum2015
Veröffentlichungsdatum15 Jan 2015 14:29
InstitutionenPhysik > Institut für Theoretische Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Thomas Niehaus
Identifikationsnummer
WertTyp
10.1109/TNANO.2014.2364038DOI
Stichwörter / Keywords; Density functional tight-binding (DFTB); line defects; MoS2; non-equilibrium Green's function (NEGF)
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetJa, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstandenJa
Dokumenten-ID31225

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